Gyda datblygiad cyflym 5G, deallusrwydd artiffisial (AI) a'r Rhyngrwyd Pethau (IoT), mae'r galw am ddeunyddiau perfformiad uchel yn y diwydiant lled-ddargludyddion wedi cynyddu'n sylweddol.Tetraclorid sirconiwm (ZrCl₄), fel deunydd lled-ddargludyddion pwysig, wedi dod yn ddeunydd crai anhepgor ar gyfer sglodion prosesau uwch (megis 3nm/2nm) oherwydd ei rôl allweddol wrth baratoi ffilmiau k uchel.
Tetraclorid sirconiwm a ffilmiau k uchel
Mewn gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion, mae ffilmiau k uchel yn un o'r deunyddiau allweddol ar gyfer gwella perfformiad sglodion. Wrth i'r broses o grebachu parhaus y deunyddiau dielectrig giât traddodiadol sy'n seiliedig ar silicon (megis SiO₂), mae eu trwch yn agosáu at y terfyn ffisegol, gan arwain at fwy o ollyngiadau a chynnydd sylweddol yn y defnydd o bŵer. Gall deunyddiau k uchel (megis ocsid sirconiwm, ocsid hafniwm, ac ati) gynyddu trwch ffisegol yr haen dielectrig yn effeithiol, lleihau'r effaith twnelu, a thrwy hynny wella sefydlogrwydd a pherfformiad dyfeisiau electronig.
Mae tetraclorid sirconiwm yn rhagflaenydd pwysig ar gyfer paratoi ffilmiau k uchel. Gellir trosi tetraclorid sirconiwm yn ffilmiau ocsid sirconiwm purdeb uchel trwy brosesau fel dyddodiad anwedd cemegol (CVD) neu ddyddodiad haen atomig (ALD). Mae gan y ffilmiau hyn briodweddau dielectrig rhagorol a gallant wella perfformiad ac effeithlonrwydd ynni sglodion yn sylweddol. Er enghraifft, cyflwynodd TSMC amrywiaeth o ddeunyddiau newydd a gwelliannau proses yn ei broses 2nm, gan gynnwys cymhwyso ffilmiau cysonyn dielectrig uchel, a gyflawnodd gynnydd mewn dwysedd transistor a gostyngiad yn y defnydd o bŵer.
Dynameg Cadwyn Gyflenwi Byd-eang
Yn y gadwyn gyflenwi lled-ddargludyddion fyd-eang, patrwm cyflenwi a chynhyrchutetraclorid sirconiwmyn hanfodol i ddatblygiad y diwydiant. Ar hyn o bryd, mae gwledydd a rhanbarthau fel Tsieina, yr Unol Daleithiau a Japan yn meddiannu safle pwysig ym maes cynhyrchu tetraclorid sirconiwm a deunyddiau cysylltiedig â chysonyn dielectrig uchel.
Datblygiadau technolegol a rhagolygon y dyfodol
Mae datblygiadau technolegol yn ffactorau allweddol wrth hyrwyddo cymhwyso tetraclorid sirconiwm yn y diwydiant lled-ddargludyddion. Yn ystod y blynyddoedd diwethaf, mae optimeiddio'r broses dyddodiad haen atomig (ALD) wedi dod yn bwynt ymchwil poblogaidd. Gall y broses ALD reoli trwch ac unffurfiaeth y ffilm yn gywir ar y nanosgâl, a thrwy hynny wella ansawdd ffilmiau cysonyn dielectrig uchel. Er enghraifft, paratôdd grŵp ymchwil Liu Lei o Brifysgol Peking ffilm amorffaidd cysonyn dielectrig uchel trwy ddull cemegol gwlyb a'i chymhwyso'n llwyddiannus i ddyfeisiau electronig lled-ddargludyddion dau ddimensiwn.
Yn ogystal, wrth i brosesau lled-ddargludyddion barhau i symud ymlaen i feintiau llai, mae cwmpas cymhwysiad tetraclorid sirconiwm hefyd yn ehangu. Er enghraifft, mae TSMC yn bwriadu cyflawni cynhyrchiad màs o dechnoleg 2nm yn ail hanner 2025, ac mae Samsung hefyd yn hyrwyddo ymchwil a datblygu ei broses 2nm yn weithredol. Mae gwireddu'r prosesau uwch hyn yn anwahanadwy oddi wrth gefnogi ffilmiau cyson dielectrig uchel, ac mae tetraclorid sirconiwm, fel deunydd crai allweddol, o bwys amlwg.
I grynhoi, mae rôl allweddol tetraclorid sirconiwm yn y diwydiant lled-ddargludyddion yn dod yn fwyfwy amlwg. Gyda phoblogeiddio 5G, AI a'r Rhyngrwyd Pethau, mae'r galw am sglodion perfformiad uchel yn parhau i gynyddu. Bydd tetraclorid sirconiwm, fel rhagflaenydd pwysig ffilmiau cyson dielectrig uchel, yn chwarae rhan anhepgor wrth hyrwyddo datblygiad technoleg sglodion y genhedlaeth nesaf. Yn y dyfodol, gyda datblygiad parhaus technoleg ac optimeiddio'r gadwyn gyflenwi fyd-eang, bydd rhagolygon cymhwysiad tetraclorid sirconiwm yn ehangach.
Amser postio: 14 Ebrill 2025